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化学机械抛光(CMP)头、设备和方法以及由此制造的平面化半导体晶片

747   编辑：管理员   来源：中冶有色技术网  
2023-03-19 06:55:30
化学机械抛光/平面化(CMP)设备、方法和由此生产出的衬底。抛光表面中具有不均匀的凹槽。CMP头和方法具有整体浆液分配机构。CMP设备和方法具有旋转的固定环。CMP设备和方法具有带柔软背衬的抛光头。CMP能够在抛光和平面化过程中有效使用浆液。由CMP设备或方法生产的衬底(半导体晶片)。在一个实施例中,该设备(100)包括具有附着在下衬底保持表面(165)上的柔性部件(185)的副载体(160)。柔性部件(185)中具有孔(195),从而在柔性部件和副载体(160)之间引入的加压流体直接将衬底(105)压在抛光表面(125)上。这些孔(195)的数目和尺寸被选择为能够在柔性部件(185)和衬底(105)之间提供充分的摩擦,以在驱动机构使副载体(160)转动时产生转动。副载体(160)具有用来在位于下表面(165)和柔性部件(185)之间的凹穴(215)上抽真空的开口。柔性部件和衬底(105)用作阀(225),以在已经实现预定真空时使开口与空腔隔离。
声明：
“化学机械抛光(CMP)头、设备和方法以及由此制造的平面化半导体晶片” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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