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基于NSCQDs/Bi2S3的光电化学传感器及其制备与应用

1011   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 06:54:46
本发明涉及一种基于NSCQDs/Bi2S3的光电化学传感器及其制备与应用,以Bi2S3纳米棒为光活性材料,通过PDDA静电吸附水热法合成的NSCQDs;然后通过EDC和NHS活化NSCQDs表面的羧基,通过酰胺化反应,将Ab修饰在电极表面。在存在AFP的条件在,通过抗原抗体识别,在电极表面会形成Ab‑AFP免疫复合物,使得电极表面的空间位阻变大,阻碍了电子牺牲剂抗坏血酸(AA)向电极表面的传递,导致传感器光电流信号的变化。根据AFP浓度与传感器光电流之间的关系,实现对AFP浓度的检测。本发明的光电化学传感器表现出较好的选择性、重复性和稳定性。本发明对ATP的检测操作简单、成本低廉、高效高灵敏,具有较低的检测限和较宽的检测范围,对蛋白质的临床和生物学分析具有重要意义。
声明:
“基于NSCQDs/Bi2S3的光电化学传感器及其制备与应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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