本发明提供一种检测SiGe材料在
电化学沉积过程中带隙变化的方法,属于SiGe电沉积制备方法领域。该方法利用原位光谱电化学技术,观察沉积过程中SiGe材料吸收光谱的变化,分析沉积过程及SiGe带隙变化;本发明利用离子液体电沉积技术与原位光谱电化学法的结合,使用无毒无污染的绿色离子液体[EMIm]Tf2N+GeCl4+SiCl4做为电解液,调控电化学沉积步骤及吸收光谱测量,原位表征SiGe在离子液体中的电沉积过程,本方法利用了半导体能够强烈的吸收光能,通过吸收光谱的变化可以反映出电化学沉积过程进行的快慢、沉积过程中带隙的变化。该检测方法工艺简单,操作方便,易于实现。
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