本发明涉及用于制造用于检测至少一种气态分析物的气体传感器装置（100）的方法。所述方法（700）具有以下步骤：提供传感器基体（110），所述半导体基体具有半导体衬底（112）和被布置在所述半导体衬底（112）的第一主表面上的固体电解质层（116），至少一个腔区段（114）成形在所述半导体衬底中。在此所述固体电解质层（116）在所述至少一个腔区段（114）中未被所述半导体衬底（112）覆盖。所述方法还具有以下步骤：在所述传感器基体（110）的半导体衬底侧处生成以干化学方式沉积的信号传导层（120），使得在所述至少一个腔区段（114）中未被所述半导体衬底（112）覆盖的固体电解质层（116）的区域中，至少一个缺口区段在所述信号传导层（120）中成形，在所述缺口区段中移除了或者未沉积所述信号传导层（120）；此外，所述方法具有下述步骤：将至少两个测量电极（130、140）借助于湿化学过程涂覆到所述固体电解质层（116）上，其中第一测量电极（130）布置在所述信号传导层（120）的所述至少一个缺口区段中，并且第二测量电极（140）布置在所述传感器基体（110）的固体电解质层侧上。
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“用于制造用于检测至少一种气态分析物的气体传感器装置的方法和用于检测至少一种气态分析物的气体传感器装置” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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编辑：管理员
来源：中冶有色技术网
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2024年12月20日 ~ 22日 
