本发明涉及
光伏技术技术领域,公开了一种超薄晶体硅太阳电池及其制备方法,包括以下步骤:步骤一:利用石英砂和焦炭在电弧炉中制取纯度较低的粗硅,之后再通过工业提纯法对粗硅进行提纯并制成高纯单晶硅备用,选取表面积较大的钨合金板,在其一侧表面进行打磨抛光,直至呈镜面的光滑状态;将高纯度的单晶硅熔融在母体内并置于熔炉中,通过专用的可升降夹具对抛光后的钨合金板进行锁定。本发明通过采用一面被抛光至与硅膜抛光同样精度要求的钨合金板,使其贴近于熔融硅的表面并使其与钨合金板的光滑面接触,然后降温析出硅膜附着在钨合金板表面,其表面不会因与空气接触而存在细小气泡,只需要硅膜的另一面抛光即可以,降低了制作工序和成本。
声明:
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我是此专利(论文)的发明人(作者)