本发明公开了MEMS
芯片领域的一种高性能Ti‑Co‑RE靶材及大吸气量薄膜吸气剂制备的方法,包括高性能Ti‑Co‑RE薄膜吸气剂靶材;所述高性能Ti‑Co‑RE薄膜吸气剂靶材的合金配方为:Ti
100‑x‑yCo
xRE
y,其成分范围为:15wt%≤x≤25wt%、5wt%≤y≤15wt%;将上述配方质量百分比配料后放入真空熔炼制备合金铸锭、对铸锭进行致密化处理、靶材尺寸加工,用其合金靶材,通过磁控溅射,在硅晶元基体样品上进行溅射,制备成吸气薄膜。本发明制备的吸气薄膜具有低的激活温度和良好的吸气性能。
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“一种高性能Ti-Co-RE靶材及大吸气量薄膜吸气剂制备的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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