本发明涉及一种纳米晶磁芯的横磁处理方法,包括以下步骤:S1、选用纳米晶带材,将其卷绕成规定的尺寸;S2、调节横磁炉的温度,设定横磁炉在25‑35min内从常温上升至495‑505℃;S3、当横磁炉温度达到495‑505℃时,将纳米晶磁芯推入横磁炉中;S4、关闭横磁炉并在其中通入惰性气体;S5、横磁炉运行控温程序,温度维持在495‑505℃之间25‑35min,同时施加横磁场处理;S6、待横磁炉的炉温冷却至340‑360℃时,关闭惰性气体和横磁电流。通过采用上述技术方案,可减少磁畴壁之间的摩擦,故此时磁芯的100K磁导率可到2.3万以上;同时,节省了保温时间,节约了成本。
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