本发明涉及半导体低维结构薄膜的制备方法,特别是利用倒置多孔
氧化铝模板,转印有序点阵技术,利用溅射技术制备有序高密度锗纳米点阵的制备方法。本发明采用经典两步阳极氧化法制备多孔氧化铝不通孔模板,然后利用溅射技术,在保持高真空环境的工作室中,以高纯氩气为工作气体,工作室溅射压强0.5Pa~2Pa,生长温度600~800℃,溅射功率50W~100W条件下,在被移植到硅基底材料上生长厚度<50nm硅缓冲层完成有序结构的转印,然后呈有序结构分布的硅缓冲层上生长锗纳米点阵。本发明具有生产成本低、可控性好、所制备锗纳米点阵具有密度高,有序性好等特点。
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