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转印倒置模板法制备有序锗纳米点阵

823   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 06:32:53
本发明涉及半导体低维结构薄膜的制备方法,特别是利用倒置多孔氧化铝模板,转印有序点阵技术,利用溅射技术制备有序高密度锗纳米点阵的制备方法。本发明采用经典两步阳极氧化法制备多孔氧化铝不通孔模板,然后利用溅射技术,在保持高真空环境的工作室中,以高纯氩气为工作气体,工作室溅射压强0.5Pa~2Pa,生长温度600~800℃,溅射功率50W~100W条件下,在被移植到硅基底材料上生长厚度<50nm硅缓冲层完成有序结构的转印,然后呈有序结构分布的硅缓冲层上生长锗纳米点阵。本发明具有生产成本低、可控性好、所制备锗纳米点阵具有密度高,有序性好等特点。
声明:
“转印倒置模板法制备有序锗纳米点阵” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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