本发明公开了一种硅基发光二极管的制备方法,其包括以下步骤:S1:制备铒硅氧溶胶;S2:在p型掺杂的硅基体上涂敷所述铒硅氧溶胶,制备铒硅酸盐无机化合物与富硅氧化硅混合物薄膜作为本征层;S3:在p型掺杂的硅基体上沉积一层磷掺杂的硅材料制作n型电极,形成硅基发光二极管。本发明通过制备铒硅酸盐无机化合物与富硅氧化硅混合物薄膜作为硅基发光二极管的本征层,将铒硅酸盐无机化合物中铒离子浓度提高1-2个数量级,富硅氧化硅中纳米硅和铒离子之间的高效能量传递效率可以实现电致发光,从而实现发光二极管获得强的通信波段1.53μm的电致发光。
声明:
“一种硅基发光二极管的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)