本发明属于半导体器件加工技术领域,尤其为一种形成氮化物半导体器件的工艺,针对现有的氮化物半导体器件的抗静电能力弱,很容易因静电损耗氮化物半导体器件的特性的问题,现提出如下方案,该生产工艺包括以下步骤:S1:选择衬底和半导体器件的半导体堆叠体,半导体堆叠体依次在衬底上生长成沟道层和阻挡层;S2:对上述生长成的沟道层和阻挡层的顶部进行蚀刻,以便在沟道层和阻挡层的顶部形成凹槽。本发明设计合理,在沟道层、阻挡层和接触层的非接触位置均包裹了橡胶,有效的避免了电荷在氮化物半导体器件表面的流动,解决了氮化物半导体器件抗静电能力弱的问题,扩展了氮化物半导体器件的适用范围。
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