本发明提供了一种底栅薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管包括:衬底、设置在所述衬底上的栅极、覆盖所述栅极的介电层、设置在所述介电层上的源极和漏极,以及覆盖所述源极和所述漏极的
半导体材料层;所述源极和所述漏极相互间隔,且与所述栅极对准;所述介电层上开设有与所述栅极的连接线连通的通道。本发明提供的薄膜晶体管能够消除寄生电容,具有较短的沟道,其性能检测方便快捷,半导体材料层可反复洗脱和生长,实现了下层基材的重复利用。
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