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一种底栅薄膜晶体管及其制备方法

1083   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 06:28:46
本发明提供了一种底栅薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管包括:衬底、设置在所述衬底上的栅极、覆盖所述栅极的介电层、设置在所述介电层上的源极和漏极,以及覆盖所述源极和所述漏极的半导体材料层;所述源极和所述漏极相互间隔,且与所述栅极对准;所述介电层上开设有与所述栅极的连接线连通的通道。本发明提供的薄膜晶体管能够消除寄生电容,具有较短的沟道,其性能检测方便快捷,半导体材料层可反复洗脱和生长,实现了下层基材的重复利用。
声明:
“一种底栅薄膜晶体管及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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