本发明提供了一种半导体ETFE复合薄膜的制作方法,所述半导体ETFE复合薄膜包括以下重量百分比的组分:2~5%PI和95~98%ETFE,包括以下步骤:(a)将所述PI和所述ETFE分别烘干;(b)将烘干后的所述PI和所述ETFE进行搅拌混合得混合物料;(c)对所述混合物料进行冷却得冷却物料;(d)将所述冷却物料进行高温流延即可。通过精确控制其组分含量,使得ETFE复合薄膜具有合适的拉伸强度和断裂伸长率,并能满足在170℃温度下进行性能检测。
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