本发明公开了一种高强度
芯片封装方法,该高强度芯片封装方法主要包括如下步骤:a)安接基板,b)安接芯片,c)性能检测,d)灌注封胶层,e)镀覆金属层,f)喷涂散热层,g)成品检测。本发明揭示了一种高强度芯片封装方法,该封装方法工序安排合理,易于实施,封装过程中芯片外部的封装体由多道工序进行制备,形成了多层封装结构,实现了对芯片的多重保护,有效提高了封装结构的强度和韧性,同时,还确保了封装结构良好的散热性能,使芯片的使用性能更加优越。
声明:
“一种高强度芯片封装方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)