本发明提供了一种硅片晶圆划片工艺,包括以下步骤:S1刀片选型;S2晶圆切割,包括横切工序和竖切工序两道工序;横切工序采取双刀切割,双刀切割包括以下步骤:a第一刀切割,b第二刀切割;S3性能检测;本发明的有益效果:横切工序采用双刀切割相比与传统的一刀切割的方法,在不影响切割效率的情况下,能够明显提高合格率;横切工序采用一刀切割与双刀切割间隔使用的方法相比与传统的只采用一刀切割的方法,既提高了合格率,又大幅度降低了工艺时长,提高了加工效率;相比与横切工序只采用双刀切割的加工方法,在大幅度降低工艺时长,提高加工效率的同时,合格率仅出现小幅度下降,该方法适合在生产小尺寸
芯片时使用。
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