本发明公开了一种实现相变存储器低功耗的方法,包括:A、对一相变存储器的材料进行电性能检测,获得:该相变存储器的电阻由高电阻到低电阻变化的第一时间和维持相变材料结晶温度的第一最大电流和第一最小电流;及相变存储器的电阻由低电阻到高电阻变化的第二时间和维持相变材料熔化温度的第二最大电流和第二最小电流;B、对该相变存储器执行置位(SET)操作时,输入SET电流,该SET电流在所述第一时间内从所述第一最小电流逐渐增大到所述第一最大电流,然后逐渐减小到0;执行重置(RESET)操作时,向相变存储器输入RESET电流,该RESET电流在所述第二时间内从所述第二最大电流逐渐减少到所述第二最小电流后关断。应用本发明,能够明显降低相变存储器的功耗。
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