本发明涉及微电子技术领域,特别涉及一种TSV孔内介质层的电学性能检测方法。包括:将沉积有介质层的TSV晶圆正向放置在真空环境中,晶圆上的TSV孔的开口朝上。在TSV孔内注入去离子水,并测量去离子水的流量;检测TSV孔内的液面高度,当去离子水注满TSV孔时,停止注入去离子水,记录去离子水的总流量。对晶圆进行干燥,除去TSV孔内的去离子水;将晶圆反向放置,TSV孔的开口朝下。在TSV孔内注入汞,并测量汞的流量,控制汞的总流量小于记录的去离子水的总流量;采用汞探针C-V测试仪对TSV孔进行电学性能检测。本发明提供的TSV孔内介质层的电学性能检测方法,能够方便地对TSV孔进行电学性能检测。
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