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摘要利用分子动力学模拟研究了高应变率下单晶Cu空洞生长和聚集的损伤演化计算单晶Cu在15kms和20kms时飞片速度的自由表面速度当v0分别为15kms和20kms时应变率分别为139109s1和152109s1介绍了失效过程中的微观空间演变并计算了相应的空隙分布和空隙体积分数结果解释了高应变率下单晶Cu损伤演化的机制另外分析了应变率对空隙形核和生长的影响这些结果为飞秒激光下金属层裂的实验研究提供了理论基础
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