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华芯晶电攻克氧化镓晶体生长难关 2英寸晶体品质跻身国际前列

2025-05-12 14:16:40 来源:中国电子材料行业协会
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简介:华芯晶电成功解决了氧化镓易产生孪晶缺陷这一困扰行业已久的共性难题。第三方检测数据显示,其研制的2英寸氧化镓晶体在位错密度控制及摇摆曲线半高宽等核心质量指标上均表现出色,达到了国际先进水平。具体而言,该晶体的位错密度仅为5440cm⁻²,摇摆曲线半高宽为71.33arcsec。
近日,青岛华芯晶电科技有限公司(以下简称“华芯晶电”)在氧化镓晶体生长技术这一前沿领域取得了突破性进展,这一成果经权威检测机构认证,标志着华芯晶电在氧化镓晶体研发制造方面迈出了坚实且关键的一步。

华芯晶电采用拥有完全自主知识产权的导模法进行氧化镓单晶的生产。在研发过程中,科研团队面临着诸多技术挑战,但凭借着坚韧不拔的科研精神与持续不断的创新投入,成功攻克了氧化镓导模法生长技术的重重难关。

为确保晶体生长的高质量与稳定性,华芯晶电对生长装备性能进行了全方位、深层次的优化升级。从设备的精度控制到能源供给的稳定性,每一个细节都经过了反复调试与验证。同时,针对工艺稳定性进行了严格的测试,通过大量的模拟实验与实际生产数据对比,不断调整工艺参数,确保生产过程的每一个环节都能达到最佳状态。

在晶体生长的关键技术环节,研发团队构建了一套精准控制体系。温度梯度控制是晶体生长的核心要素之一,稍有偏差就可能导致晶体结构不均匀或产生缺陷。研发人员通过精确的传感器与智能控制系统,实时监测并动态调整生长环境中的温度梯度,确保晶体在理想的温度场中生长。杂质元素分布调控同样至关重要,杂质的存在会严重影响晶体的电学性能与光学性能。团队利用先进的材料分析技术与杂质扩散模型,精准控制杂质元素的引入与分布,有效降低了杂质对晶体质量的不利影响。此外,对生长速率的优化也经过反复试验,在保证晶体质量的前提下,合理提高生长速率,提升了生产效率。

经过不懈努力,华芯晶电成功解决了氧化镓易产生孪晶缺陷这一困扰行业已久的共性难题。第三方检测数据显示,其研制的2英寸氧化镓晶体在位错密度控制及摇摆曲线半高宽等核心质量指标上均表现出色,达到了国际先进水平。具体而言,该晶体的位错密度仅为5440cm⁻²,摇摆曲线半高宽为71.33arcsec,这一数据不仅体现了晶体的高纯度与完整性,也为其在高端领域的应用奠定了坚实基础。

基于这一重要成果,华芯晶电立足产业发展需求,采取了一系列积极举措。一方面,公司将持续加大研发投入,进一步深化工艺流程的优化与创新,集中力量攻克大尺寸晶体生长技术难题,并致力于提升晶体质量的稳定性,以满足市场对高性能氧化镓晶体日益增长的需求。另一方面,华芯晶电积极构建产业协同生态,主动加强与下游薄膜器件企业的合作。通过联合创新,双方将充分发挥各自的技术优势与产业资源,共同推动氧化镓晶体材料在高性能功率器件、光电探测等战略领域的应用落地,助力整个行业实现高质量发展。
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