本发明涉及一种区分PMOS栅极与源漏极或N阱之间漏电的方法,所述方法包括如下步骤:使用纳米点针对失效PMOS进行2针漏电测试,其中一针扎在栅极上,另一针扎在N阱上,从而测量栅极到N阱是否存在漏电,得到电流‑电压曲线图。如果所述电流‑电压曲线为正比斜线,则栅极与N阱之间存在漏电;如果所述电流‑电压曲线为二极管开启曲线,则栅极到源漏极短路。本发明的区分PMOS栅极与源漏极或N阱之间漏电的新方法,能够解决同类型案例分析技术难题,提高失效分析工作成功率,节约人力成本和机台使用时间。
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