本发明涉及一种钨接触栓塞高阻的检测方法。包括以下步骤:将半导体样品研磨至钨栓塞接触层;在所述半导体样品的待观测区域形成两个用于确定失效地址的位置标记,并在靠近失效地址处形成停止标记;研磨半导体样品的横截面直至停止标记;将半导体样品在沸腾的双氧水中浸煮,直到去除金属钨,露出硅钴化物层;制备平面TEM样品;采用STEM观测平面TEM样品。本发明的技术方案先移出金属钨,然后通过STEM模式观测硅钴化物的生长形貌和质量,从而可以快速找到钨接触栓塞高阻的原因,指明工艺的改进方向,对改善钨接触栓塞高阻的形成具有非常重要的作用。
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