本申请提供一种M i cro‑LED器件制备方法。该方法针对利用干法刻蚀制备Micro‑LED晶粒结构引发的产生侧壁损伤的问题进行改进。提出使用四甲基氢氧化铵化学腐蚀和侧壁钝化相结合的方式对其进行侧壁修复，能沿纵向腐蚀完M i cro‑LED侧壁的非晶区，沿横向M i cro‑LED结构破坏性较弱，腐蚀后的样品侧壁晶格完整且侧壁垂直；Micro‑LED晶粒形成之后，通过激光共聚焦显微镜与光致发光光谱相结合的光学评价方式对其进行早期性能评估，在封装之后对M i cro‑LED器件的电学性能进行测试，将电学性能测试结果与早期发光性能评估相对照。本申请实能有效处理M i cro‑LED侧壁损伤层，竖直化M i cro‑LED侧壁，解决干法刻蚀后侧壁倾斜导致的量子阱上下区域面积不一致的问题。
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编辑：管理员
来源：中冶有色技术网
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2024年12月27日 ~ 29日 
