合肥金星智控科技股份有限公司
宣传

位置:中冶有色 >

有色技术频道 >

> 化学分析技术

> 离线监控介电层沉积工艺对铜电阻的影响的方法

离线监控介电层沉积工艺对铜电阻的影响的方法

745   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:28:34
本发明公开了一种离线监控介电层沉积工艺对铜电阻的影响的方法,包括:步骤S1,在裸硅片上沉积保护层;步骤S2,在所述保护层的表面生长一铜层;步骤S3,利用化学机械研磨工艺对铜层进行减薄;步骤S4,测试研磨后的铜层电阻并作为前值电阻;步骤S5,将测试后的硅片进行待测试的介电层沉积工艺中的铜表面预处理步骤;步骤S6,测试预处理后硅片中的铜层电阻并作为后值电阻;步骤S7,后值电阻与前值电阻的差值即为介电层沉积工艺对铜电阻的影响量。本发明操作简单,灵活性强,不但可以及时有效地进行晶圆的电性监控,还可以有效控制介电层沉积工艺的稳定性,而且最大化地避免介电层沉积工艺发生偏差时对产品的影响程度。
声明:
“离线监控介电层沉积工艺对铜电阻的影响的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
分享 0
         
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
标签:
化学分析
全国热门有色金属技术推荐
展开更多 +

 

中冶有色技术平台微信公众号
了解更多信息请您扫码关注官方微信
中冶有色技术平台微信公众号中冶有色技术平台

最新更新技术

报名参会
更多+

报告下载

2024退役新能源器件循环利用技术交流会
推广

热门技术
更多+

衡水宏运压滤机有限公司
宣传
环磨科技控股(集团)有限公司
宣传

发布

在线客服

公众号

电话

顶部
咨询电话:
010-88793500-807
专利人/作者信息登记