在当前LSI或者半导体集成电路器件制造工艺中,在组装器件的步骤(比如树脂密封步骤)之后通常为在高温度(比如近似范围从85℃至130℃)和高湿度(比如约为80%RH)的环境中的电压施加测试(高温度和高湿度测试)。对于该测试,本发明的发明人在高温度和高湿度测试期间发现作为抗反射膜的氮化钛膜从上方膜出现分离以及在施加有正电压的基于铝的键合焊盘的上表面的边缘部分在氮化钛膜中生成裂缝这一现象,该现象归因于由潮气经过密封树脂等侵入生成氮化钛膜的氧化和膨胀引起的
电化学反应。本申请的一项发明在于在基于铝的键合焊盘的外围区域以环或者缝形状去除焊盘之上的氮化钛膜。
声明:
“半导体集成电路器件及其制造方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)