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MoS2上低维AlN材料制备方法及应用

906   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:23:05
本发明公开了一种MoS2上低维AlN材料制备方法及应用,应用在光电探测器领域,通过化学气相沉积法在二氧化硅层制备不同厚度的二维MoS2材料层在电子束蒸发中,制备不同厚度的Al层正度,采用等离子体化学气相沉积法,制备不同厚度的低维ALN材料层生长,所述二维MoS2材料层及低维AlN材料层构成高肖特基势垒,形成内建电场。本发明实现二维MoS2上低维AlN生长,构建了结型异质结,表现出自供电效应和很高的深紫外光响应度、快速响应能力。
声明:
“MoS2上低维AlN材料制备方法及应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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