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MoS2上低维AlN材料制备方法及应用

973   编辑：管理员   来源：中冶有色技术网  
2023-03-19 08:23:05
本发明公开了一种MoS2上低维AlN材料制备方法及应用，应用在光电探测器领域，通过化学气相沉积法在二氧化硅层制备不同厚度的二维MoS2材料层在电子束蒸发中，制备不同厚度的Al层正度，采用等离子体化学气相沉积法，制备不同厚度的低维ALN材料层生长，所述二维MoS2材料层及低维AlN材料层构成高肖特基势垒，形成内建电场。本发明实现二维MoS2上低维AlN生长，构建了结型异质结，表现出自供电效应和很高的深紫外光响应度、快速响应能力。
声明：
“MoS2上低维AlN材料制备方法及应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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