本发明涉及一种氧化铟单晶外延薄膜的制备方法,采用有机金属化学气相淀积工艺,以三甲基铟作为有机金属源,用氮气作为载气,用氧气作为氧化气体,用有机金属化学气相淀积设备在真空条件下在蓝宝石衬底上外延生长氧化铟单晶薄膜。该薄膜是具有单晶结构的外延材料,薄膜的载流子迁移率大于30cm2V-1S-1,可见光范围的平均相对透过率超过85%,在室温光致发光谱测量试验中观测到带间跃迁产生的发光。
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