本发明公开了一种半导体性单壁
碳纳米管的制备方法,该方法包括以下步骤:(1)基底的处理;(2)氧化物载体的制备;(3)催化剂(前驱体)的负载;(4)由氧化物载体负载的催化剂溶液的制备;(5)半导体选择性单壁碳纳米管的化学气相沉积生长。根据本发明的方法,能够选择性生长半导体性单壁碳纳米管,拉曼光谱的检测结果显示半导体性单壁碳纳米管的选择性非常好。而且,所得碳纳米管具有良好的取向选择性,并具有良好的直径选择性,直径主要分布于1.1-2.5纳米之间。
声明:
“半导体性单壁碳纳米管的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)