本发明涉及脑机接口技术领域,具体涉及一种新型神经电极及其制作方法,包括基底层,所述基底层的表面设置传播组件,所述传播组件包括波导层和适配体层,所述适配体层位于所述波导层的表面并且能够结合神经递质,所述适配体层结合神经递质后在所述波导层表面发生质量负载的增加,所述波导层传播声波的幅度和相位也相应发生变化,以便实现神经电极对神经功能活动的检测。本发明通过能够结合神经递质的适配体层特异性采集化学信号,然后利用质量负载效应传递信号,使得对相关组织区域神经功能活动的检测更加精确。
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