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CUTE单晶纳米带及其制备方法

783   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:32:29
本发明涉及CUTE单晶纳米带,特别涉及一种用电化学沉积制备CUTE单晶纳米带的方法。以TE的化合物和CU盐为主要原料,以氨水为介质,以PT片、饱和甘汞电极分别作对电极和参比电极,以导电玻璃或金属片(如CU片)为工作电极,通过电化学分析仪给工作电极加上一定的电位,恒定温度下反应一段时间后,在工作电极上得到大量的CUTE单晶纳米带。CUTE单晶纳米带的厚度为10~100NM;宽度为100~800NM;长度几微米。所述的CUTE单晶纳米带为正交结构,沿[010]方向择优生长。
声明:
“CUTE单晶纳米带及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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