本发明公开了一种3D叠层
芯片封装器件的芯片分离方法,包括如下步骤:声学扫描显微检测3D叠层芯片封装ULSI试样的内部结构,确定所需研磨区域及其面积;用热熔蜡将3D叠层芯片封装ULSI试样固定在研磨台上;研磨:根据上述研磨区域的面积,选择研磨钻头、研磨力度和研磨方向,去除封装材料和芯片,研磨至目标芯片表面覆盖的保护层;采用化学腐蚀法,去除上述的保护层。本发明以研磨为主,化学腐蚀为辅;研磨针对特定局部区域进行去除,不损伤下层芯片内部结构及其键合引线;化学腐蚀法将目标芯片表面上覆盖的保护层或芯片粘结剂去除,目标芯片暴露;所得的目标芯片内部结构和芯片上的键合引线完整不受损,方便后续的电测分析。
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