一种钝化InAs/GaSb二类超晶格红外探测器制作方法,包括:采用金属化学有机气相沉积方法或分子束外延方法,在衬底上依次生长缓冲层、二类超晶格层、本征二类超晶格光吸收层、N型二类超晶格层和N型欧姆接触层,形成外延片;对外延片进行光刻,然后采用湿法腐蚀或干法刻蚀的方法,对外延片进行腐蚀或刻蚀;使用甩胶机在刻蚀后的外延片的表面上涂覆树脂材料;进行曝光;进行中烘,显影,在涂覆树脂材料的外延片上形成上电极和光进入窗口和下电极窗口,制作电极材料;对电极材料进行光刻,形成上电极和下电极;本发明是采用该制作方法钝化的器件具有较低的暗电流,ROA增加;其具有制造工艺不复杂、钝化膜强度大,钝化效果好等特点。
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