本实用新型公开了一种长波III‑V族红外探测器,所述红外探测器结构包括衬底、缓冲层、吸收层和帽层;其中,所述吸收层的材料为非故意掺杂的BInAsSbBi,所述非故意掺杂的BInAsSbBi的组分结构满足:BxIn1‑xAs1‑y‑zSbyBiz,其中,x≥0.1,0.4≤y≤0.7,0.01≤z≤0.06。本实用新型通过满足适当组分要求的BInAsSbBi材料作为吸收层来制备长波III‑V族红外探测器,获得了较好的化学稳定性,在保证耐热性的同时具有较高的吸收系数,能够保持与衬底较小的晶格失配,从而提升了探测器性能。
声明:
“长波III-V族红外探测器” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)