合肥金星智控科技股份有限公司
宣传

位置:中冶有色 >

有色技术频道 >

> 化学分析技术

> 预沉积扩散源制备铟镓砷光电探测器芯片的扩散方法

预沉积扩散源制备铟镓砷光电探测器芯片的扩散方法

864   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:28:47
本发明公开了一种预沉积扩散源制备铟镓砷光电探测器芯片的扩散方法,它涉及化合物半导体器件制造的扩散工艺。其通过磁控溅射的方式在制备有氮化硅扩散掩膜的铟镓砷外延片上预沉积上一层锌扩散源,采用等离子增强化学气相沉积设备将锌扩散源覆盖起来,在快速退火炉中进行开管高温梯度扩散,完成化合物半导体铟镓砷外延片的锌扩散工艺。本发明扩散出的铟镓砷光电探测芯片光电性能片内、片间均匀性好、重复性好,可根据快速退火炉尺寸相应扩大铟镓砷外延片尺寸,特别适合三五族化合物半导体探测器芯片的生产。
声明:
“预沉积扩散源制备铟镓砷光电探测器芯片的扩散方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
分享 0
         
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
标签:
化学分析
全国热门有色金属技术推荐
展开更多 +

 

中冶有色技术平台微信公众号
了解更多信息请您扫码关注官方微信
中冶有色技术平台微信公众号中冶有色技术平台

最新更新技术

报名参会
更多+

报告下载

第二届关键基础材料模拟、制备与评价技术交流会
推广

热门技术
更多+

衡水宏运压滤机有限公司
宣传
环磨科技控股(集团)有限公司
宣传

发布

在线客服

公众号

电话

顶部
咨询电话:
010-88793500-807
专利人/作者信息登记