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pn结MgxZn1-xO薄膜日盲区紫外探测器件

564   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:28:46
pn结MgxZn1-xO薄膜日盲区紫外探测器件属于光电探测技术领域。现有技术采用MgxZn1-xO薄膜作为光电转换器件,其光谱响应度有待提高;而虽然pn结MgxZn1-xO薄膜因pn结的雪崩作用而具有很高的转换效率,但只是被用做电光转换器件。本发明采用pn结MgxZn1-xO薄膜,底部电极介于衬底与pn结MgxZn1-xO薄膜之间,偏置电压电极、信号电压电极位于pn结MgxZn1-xO薄膜上表面且相离,偏置电压电极与底部电极为pn结MgxZn1-xO薄膜提供偏置电压,信号电压电极与底部电极将pn结MgxZn1-xO薄膜产生的信号电压输出。该方案应用于200~300nm紫外导弹尾焰探测、紫外告警、化学火焰探测等领域。
声明:
“pn结MgxZn1-xO薄膜日盲区紫外探测器件” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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