本申请公开了一种具有量测对准图形的晶圆。本申请实施例提供的具有量测对准图形的晶圆,晶圆的表面设置有投影曝光区域以及对应于投影曝光区域的量测对准图形,量测对准图形包括多个矩形单元,矩形单元包括矩形外轮廓以及位于矩形外轮廓内侧的多个线段,从而降低了矩形单元的线条面积占比,缩小了量测对准图形区域的线条密度与器件图形区域的线条密度之间的差距,有利于提高化学机械抛光后晶圆表面量测对准图形区域的平整度,降低后续对晶圆的处理难度,提高对晶圆的处理精确度,提高
芯片制造的精度,满足对芯片的制造精度需求。
声明:
“具有量测对准图形的晶圆” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)