本发明提供了一种晶体硅电池界面复合速率的测试方法,包括选取若干硅片,进行制绒、扩散、清洗与镀膜;在镀膜后的硅片表面印刷浆料、烧结得到若干具有不同图案电极栅线的
电池片,进行测试;以
及f为坐标建立平面坐标系,并在该平面坐标系中对若干所述电池片的相应数据进行线性拟合,得到斜率k为
再求解得到S
me‑Si。本发明测试方法无需对电池片上的电极栅线进行清洗,降低化学品损耗,减少废液排放;且通过常规I‑V测试设备即可实现,减少设备投入成本,具有较高的实用价值。
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