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p-i-n结构钙钛矿基X光探测器及其制备方法

1001   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:25:21
本申请属于光电技术领域,尤其涉及一种p‑i‑n结构钙钛矿基X光探测器及其制备方法。其中,p‑i‑n结构钙钛矿基X光探测器,包括依次叠层贴合设置的p型功能层、钙钛矿活性层和n型功能层,其中,所述钙钛矿活性层包含化学通式为APbZ3的卤化物钙钛矿,其中,A包括碱金属离子或者有机铵离子,Z包括至少一种卤素。本申请提供的p‑i‑n结构钙钛矿基X光探测器,通过p型功能层、钙钛矿活性层和n型功能层的协同作用,可有效抑制器件暗电流,暗电流密度≤1nA/cm2,并且使钙钛矿基X光探测器具有较高的检测灵敏度。
声明:
“p-i-n结构钙钛矿基X光探测器及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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