一种氧化物的刻蚀工艺的监测方法,所述方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底的表面形成有氧化物;刻蚀去除所述氧化物的至少一部分;采用化学溶液清洗所述半导体衬底的表面,所述化学溶液能够与所述半导体衬底反应,而未能与所述氧化物反应;检测清洗后的半导体衬底的表面,以确定是否存在残留的氧化物。本发明方案可以更准确地检测到氧化物刻蚀缺陷,从而及时地确认刻蚀工艺的异常状况,有助于保证产品良率。
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