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基于多次称重获得单晶硅片切割损伤层厚度的测试方法

1006   编辑：管理员   来源：中冶有色技术网  
2023-03-19 07:24:14
本发明公开了一种基于多次称重获得单晶硅片切割损伤层厚度的测试方法，它包括以下步骤：S1、对未经过腐蚀的硅片进行称重，记录硅片的初始重量m0；S2、将硅片完全浸没在腐蚀液中，腐蚀液温度控制在75～85℃；S3、每隔固定时间，将硅片取出擦拭称重，记录硅片重量mi，mi表示第i次称重重量；S4、绘制硅片重量与时间的变化图；S5、根据硅片重量变化趋势判断出硅片重量变化趋势发生变化点，记录该变化点对应的硅片重量mf；S6、计算损伤层厚度μ。本发明采用化学腐蚀方法定量分析硅片表面损伤层厚度，在太阳能电池制绒环节中，可有效去除单晶硅片表面的损伤层，同时减少制绒过程中硅料的损失。
声明：
“基于多次称重获得单晶硅片切割损伤层厚度的测试方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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