本发明公开了一种改善STI-CMP终点检测的方法,包括STI-CMP前后相关工艺步骤和终点检测步骤,所述STI-CMP前后相关工艺依次包括氧化硅沉积、氮化硅沉积、STI沟槽刻蚀、氧化硅填入、化学机械抛光、氮化硅去除和氧化硅去除的步骤,在化学机械抛光步骤中采用终点检测的方法进行工艺控制,所述STI-CMP前道相关的工艺中,在所述氮化硅沉积和化学机械抛光的步骤之间,加入对氮化硅表面进行改变氮化硅表面特性的处理的步骤。本发明通过改变氮化硅表面特性的方式,使得后续化学机械抛光工艺步骤中能够明确的区分氮化硅和氧化硅的界面,方便终点检测步骤的进行,提高了整个工艺过程的稳定性和可靠性。
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