本发明公开了一种化学机械研磨工艺建模的集成电路版图结构,属于集成电路制造工艺和版图设计技术领域。所述版图中包含多个长度和宽度大于100微米的矩形结构模块,模块与模块之间的距离为模块间距,所述模块间距大于100微米,模块由金属线和介质层构成,模块中金属线面积占模块总面积的比例为金属密度,所述模块为不同金属线宽的孤立线结构模块、不同金属密度和金属线宽的模块、不同金属线宽与密度组成的复合结构模块、或复合结构模块中不同模块间距的结构模块。本发明能够减少测试
芯片和实验次数,节省建模成本和时间。
声明:
“化学机械研磨工艺建模的集成电路版图结构” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)