本发明适用于化学机械抛光技术领域,提供了一种化学机械抛光方法、系统及控制设备,其中方法包括:在抛光期间对晶圆膜厚进行在线测量,以获取晶圆的第一膜厚形貌和预设时间后的第二膜厚形貌;根据所述第一膜厚形貌、所述第二膜厚形貌以及期望膜厚形貌,计算实际去除速率和期望去除速率,其中,所述实际去除速率为晶圆由所述第一膜厚形貌抛至所述第二膜厚形貌的实际膜厚去除速率,所述期望去除速率为使晶圆由所述第二膜厚形貌达到所述期望膜厚形貌所需的膜厚去除速率;将所述实际去除速率与所述期望去除速率进行比较以调整抛光参数中的压力配方,并按照调整后的压力配方进行抛光。
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