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基于FeS2/C/MQDs/GCE修饰电极的分子印迹电化学传感器及其制备方法

937   编辑：管理员   来源：中冶有色技术网  
2023-03-19 06:59:01
本发明提供了一种基于FeS2/C/MQDs/GCE修饰电极的分子印迹电化学传感器及其制备方法，FeS2/C/MQDs/GCE修饰电极的制备方法，依次包括以下步骤：将MQDs和FeS2/C分别分散在壳聚糖‑乙酸溶液中；将MQDs溶液滴加到GCE上，干燥，得MQDs/GCE；将FeS2/C溶液滴加到MQDs/GCE上，干燥，得FeS2/C/MQDs/GCE修饰电极。本发明还包括采用上述方法制得的修饰电极以及基于该修饰电极的分子印迹电化学传感器及其制备方法和应用。本发明具有良好的重现性、可接受的稳定性和高选择性，同时，有效的实现了双嘧达莫和硫酸奎宁的同时测定，且解决了两物质检测方式复杂昂贵等问题。
声明：
“基于FeS2/C/MQDs/GCE修饰电极的分子印迹电化学传感器及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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