本发明公开了一种半导体
芯片的失效分析方法,包括:切割半导体芯片制备具有横截面的样品;对样品的衡截面进行研磨抛光、水洗并干燥样品;配置化学染色液;将抛光好的样品放入所述化学染色液中进行染色处理;对染色处理后的样品进行清洗并干燥样品;将样品放置在扫描电镜中进行检查并进行显微摄影,进行失效分析。本发明在对样品进行研磨抛光之后,还采用化学染色液对样品表面进行化学处理,最后才使用扫描电子显微镜对掺杂物分布和结面轮廓进行二维描述,并且能够以较高的空间分辨率精确描绘掺杂剖面,从而可以对样品的失效节点进行详细而准确的分析。
声明:
“半导体芯片的失效分析方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)