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直接探测中子的10BN材料的低气压化学气相沉积生长装置及其生长方法

902   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 06:50:32
本发明公开一种直接探测中子的10BN材料的低气压化学气相沉积生长装置及其生长方法,以源加热炉加热生长源,使其分解为气态产物,以氩气或者氮气作为气态产物的载气,在混气罐中混气结束后通入刚玉管中进行10BN薄膜的生长。该生长方法使用的生长源为富集10B,使得生长的10BN薄膜中有较好的10B丰度;该生长方法的生长源与载气在混气罐中混气结束后通入反应腔室,使得生长源能和载气均匀混合,能有效地提高10BN薄膜的生长速率和质量;该生长方法利用加热线圈加热生长源的传输路径,以减少前驱体在传输过程中的损耗;该生长方法利用双温区的高温管式炉,使得温度场更加稳定。
声明:
“直接探测中子的10BN材料的低气压化学气相沉积生长装置及其生长方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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