本发明属于分析化学领域,具体涉及一种界面光电子转移及材料光催化活性的测定方法及四维显微成像分析仪。所述四维显微成像分析仪包括样品靶、激光器、狭缝、提取极、六级杆、四级杆、飞行时间质量分析器、检测器、给样品靶、狭缝、提取极和六级杆提供电压的装置。本发明利用
半导体材料在激光照射下产生光生电子的隧道效应和电子受体分子的俘获原理,通过测定电子受体分子俘获界面转移光生电子或电子受体分子俘获界面转移光生电子引发光化学反应所得产物的质荷比及离子信号、并通过图像重构获得光催化活性位点的显微成像,一方面可以判断半导体材料光催化活性位点,另一方面可以判断电子受体分子发生光化学反应的难易以及所得光化学反应产物。
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