全部
本申请适用于半导体材料技术领域，提供了氧化镓单晶制备方法，该方法包括：将氧化镓籽晶切割为长方体，并将长方体氧化镓籽晶的底部加工为楔形，得到第一氧化镓籽晶；将第一氧化镓籽晶依次进行退火和表面处理，得到第二氧化镓籽晶；在进行引晶时，将第二氧化镓籽晶的下部下降至与熔体接触，之后依次进行提拉、放肩、等径、收尾和降温工序，得到氧化镓单晶。本申请提高氧化镓结晶的质量、降低缺陷浓度，减少多晶的风险。
中冶有色为您提供最新的优质商品信息，包括品牌，厂家，图片、规格型号、用途、原理、技术参数、性能指标等。
宁夏 - 银川
2025年05月16日 ~ 18日
