Si-Ti在>650℃发生反应生成Ti5Si3,Ti5Si3热稳定性差,在>1100℃时发生回溶。根据Ti-Si相图,室温时Si的固溶度极低,>1000℃时Si在β-Ti中固溶度>2%,Si元素易扩散至Ti基体中。EBSD及EPMA结果显示Ti5Si3主要分布在基体中,表明绝大部分Si在烧结升温、保温过程中扩散固溶至Ti基体中,随后降温冷却时固溶度降低析出Ti5Si3。
张国义,中南大学材料加工硕士,魏桥研究院技术专家,10余年研发实践经验。曾就职于敏实、福耀集团,从事高端汽车铝饰件业务的产线规划建设、产品及工艺开发等工作,打破了国外企业的技术垄断并反超。目前从事高性能(吸能、耐蚀、高导等)铝合金材料的研发及工程化应用工作。