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Si-Ti在＞650℃发生反应生成Ti5Si3，Ti5Si3热稳定性差，在＞1100℃时发生回溶。根据Ti-Si相图，室温时Si的固溶度极低，＞1000℃时Si在β-Ti中固溶度>2%，Si元素易扩散至Ti基体中。EBSD及EPMA结果显示Ti5Si3主要分布在基体中，表明绝大部分Si在烧结升温、保温过程中扩散固溶至Ti基体中，随后降温冷却时固溶度降低析出Ti5Si3。
Si-Ti在＞650℃发生反应生成Ti5Si3，Ti5Si3热稳定性差，在＞1100℃时发生回溶。根据Ti-Si相图，室温时Si的固溶度极低，＞1000℃时Si在β-Ti中固溶度>2%，Si元素易扩散至Ti基体中。EBSD及EPMA结果显示Ti5Si3主要分布在基体中，表明绝大部分Si在烧结升温、保温过程中扩散固溶至Ti基体中，随后降温冷却时固溶度降低析出Ti5Si3。 收起+
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