为了进行碳化硅(SiC)的光固化3D打印，本文提出采用表面氧化处理提升SiC浆料的光固化性能。采用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、X射线光电子能谱等研究了SiC颗粒的氧化过程以及氧化温度与保温时间对氧化过程的影响；采用动态流变仪、紫外分光光度计、数字千分尺等研究了浆料的流变性能和光固化性能。结果表明：经表面氧化处理后的SiC颗粒紫外反射率有显著的提高，最高为48.11%，为未氧化SiC颗粒的1.8倍；配制的浆料光固化性能有明显的改善，曝光5 s时固化厚度最高为76 μm，为未氧化的3.6倍。随着氧化温度的上升以及保温时间的延长，氧化层厚度持续增长，最高达到144.8 nm。考虑到过度氧化不利于后续SiC陶瓷的烧结成型，最终选择使用1100 ℃保温3.0 h的氧化SiC粉末，并以1%(质量分数)的KOS163为SiC浆料的分散剂，制备了固含量为45%(体积分数)的SiC浆料，成功实现了SiC陶瓷坯体的光固化3D打印。