摘要: 与有机–无机杂化钙钛矿相比，全无机钙钛矿CsPbX3 (X = Cl, Br, I)中A位不含有易于热挥发的有机阳离子，因此具有更高的稳定性。全无机钙钛矿单晶具有低的缺陷密度，高的载流子迁移率，因而被广泛地用于制备光电器件。然而传统制造CsPbBr3单晶的方法，如布里奇曼熔融法、反温度结晶和反溶剂蒸汽辅助结晶等，往往依赖于高温、复杂工艺和真空环境。而且晶体质量相对较差，存在大量缺陷，严重影响器件性能。本研究工作中，我们使用了一种两段式升温法，通过缓慢蒸发溶剂控制钙钛矿在低温高质量成核，进而升高温度快速结晶生长，最终获得高质量的CsPbBr3块状单晶。利用该CsPbBr3钙钛矿单晶构建金属–半导体–金属结构的光电探测器，该器件展现出优异的光电性能，在1 V工作电压下，器件在540 nm处的响应度为2.68 × 10?3 A?W?1，在2 V电压下，光暗电流比可达2.23 × 103。同时它展现了快速的响应时间(上升时间：8.3 μs；下降时间：684.9 μs)。